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切削、研磨、接合
学外者利用可能な装置については備考欄に記載があります。
EVG wafer bonder
| メーカー名（型式） | EVグループ (EVG520) |
| 最大サンプルサイズ | 4 inch |
| 最大発生力（荷重） | 3500 N |
| 最大温度 | 550 ℃ |
| チャンバ真空度 | 10−2 Pa |
| 最大印加電圧 | 1200 V |
| その他 | ボンドアライメントは本施設内に設置しているEVG mask alignerで可能 |
| 備考 | |
Wafer bonder (Technofine)
| メーカー名（型式） | テクノファイン（SG-560） |
| 最大サンプルサイズ | 4 inch |
| 最大発生力（荷重） | 10000 N |
| 最大温度 | 350 ℃ |
| チャンバ真空度 | 5 × 10−3 Pa |
| 最大印加電圧 | 電圧印加非対応 |
| 備考 | |
フリップチップボンダ #1
| メーカー名（型式） | 完エレクトロニクス（MODEL6000） |
| 最大サンプルサイズ | □20 mm |
| 最大発生力（荷重） | 5 kgf (49 N) |
| 最大温度 | 200 ℃ |
| チャンバ真空度 | 大気圧（N2ガスフロー可） |
| 最大印加電圧 | 電圧印加不可 |
| 備考 | |
フリップチップボンダ #2
| メーカー名（型式） | Hisol (M-90) |
| 最大サンプルサイズ | 上：□10 mm、下（ステージ）：4 inch |
| 最大発生力（荷重） | 5.5 N |
| 最大温度 | 350 ℃ |
| チャンバ真空度 | 大気圧 |
| 最大印加電圧 | 電圧印加不可 |
| 備考 | |
EVGプラズマ表面活性化装置
| メーカー名（型式） | EVグループ（EVG810） |
| 最大サンプルサイズ | 6 inch |
| チャンバ真空度 | 1 Pa程度 |
| その他 | 低温直接接合の為のサンプル表面プラズマ処理用 |
| 備考 | 学外者利用可能 |
EVG 接合用基板洗浄
| メーカー名（型式） | EVグループ（EVG301） |
| 最大サンプルサイズ | 6 inch |
| その他 | EVGプラズマ表面活性化装置での処理前にサンプル表面をメガソニック洗浄する用途、ブラシによるサンプル洗浄可 |
| 備考 | 学外者利用可能 |
レーザーダイサ
| メーカー名（型式） | 自作機 |
| 特徴・用途 | レーザを用いたステルスダイシング |
レーザ仕様
（発振器、波長、出力など） | パルスファイバレーザ（SPI Lasers製、波長：1064 nm、出力：12 W）、パルスグリーンレーザ（メガオプト製、波長：532 nm、出力：> 1.2 W (1 kHz）, > 3.5 W (10 kHz)） |
| 加工サイズ | 最大25 × 25 mm |
| 加工対象物 | シリコン、テンパックス、他（要相談） |
| その他 | 試料（Si等）内部にクラック層を形成する。レーザダイシングだけではチップ化不可、外部曲げ応力が必要。 |
| 備考 | |
ダイサ
| メーカー名（型式） | DISCO (DAD3240) |
| 用途 | ウエハの切断（Si、ガラス、水晶、リチウムナイオベート等） |
| サンプルサイズ | 最大⌀152.4 mm |
| その他 | ダイシングテープ等への貼り付け必須 |
| 備考 | 学外者利用可能 |
研磨装置
| メーカー名（型式） | Logistech (PM5) |
| 用途 | ウェハの研磨 |
| サンプルサイズ | 最大⌀4 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
研削装置
| メーカー名（型式） | ナノファクター（NVG-200A） |
| 用途 | 試料の荒削り |
| 主な仕様 | 回転数：100–600 rpm、加工精度：10 μm |
| サンプルサイズ | 100 mm、高さ：20 mm |
| 備考 | |
