Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University

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設備・装置切削、研磨、接合

目次

切削、研磨、接合

EVG wafer bonder

EVG Wafer bonder
メーカー名(型式)EVグループ (EVG520)
最大サンプルサイズ4 inch
最大発生力(荷重)3500 N
最大温度550 ℃
チャンバ真空度10−2 Pa
最大印加電圧1200 V
その他ボンドアライメントは本施設内に設置しているEVG mask alignerで可能
備考

Wafer bonder (Technofine)

Wafer bonder(Technofine)
メーカー名(型式)テクノファイン(SG-560)
最大サンプルサイズ4 inch
最大発生力(荷重)10000 N
最大温度350 ℃
チャンバ真空度5 × 10−3 Pa
最大印加電圧電圧印加非対応
備考

フリップチップボンダ #1

フリップチップボンダ#1
メーカー名(型式)完エレクトロニクス(MODEL6000)
最大サンプルサイズ□20 mm
最大発生力(荷重)5 kgf (49 N)
最大温度200 ℃
チャンバ真空度大気圧(N2ガスフロー可)
最大印加電圧電圧印加不可
備考

フリップチップボンダ #2

フリップチップボンダ#2
メーカー名(型式)Hisol (M-90)
最大サンプルサイズ上:□10 mm、下(ステージ):4 inch
最大発生力(荷重)5.5 N
最大温度350 ℃
チャンバ真空度大気圧
最大印加電圧電圧印加不可
備考

EVGプラズマ表面活性化装置

EVG プラズマ表面活性化装置
メーカー名(型式)EVグループ(EVG810)
最大サンプルサイズ6 inch
チャンバ真空度1 Pa程度
その他低温直接接合の為のサンプル表面プラズマ処理用
備考

EVG 接合用基板洗浄

EVG 接合用基板洗浄
メーカー名(型式)EVグループ(EVG301)
最大サンプルサイズ6 inch
その他EVGプラズマ表面活性化装置での処理前にサンプル表面をメガソニック洗浄する用途、ブラシによるサンプル洗浄可
備考

レーザーダイサ

レーザーダイサー
メーカー名(型式)自作機
特徴・用途レーザを用いたステルスダイシング
レーザ仕様
(発振器、波長、出力など)
パルスファイバレーザ(SPI Lasers製、波長:1064 nm、出力:12 W)、パルスグリーンレーザ(メガオプト製、波長:532 nm、出力:> 1.2 W (1 kHz),  > 3.5 W (10 kHz))
加工サイズ最大25 × 25 mm
加工対象物シリコン、テンパックス、他(要相談)
その他試料(Si等)内部にクラック層を形成する。レーザダイシングだけではチップ化不可、外部曲げ応力が必要。
備考

ダイサ

ダイサー
メーカー名(型式)DISCO (DAD3240)
用途ウエハの切断(Si、ガラス、水晶、リチウムナイオベート等)
サンプルサイズ最大⌀152.4 mm
その他ダイシングテープ等への貼り付け必須
備考

研磨装置

研磨装置
メーカー名(型式)Logistech (PM5)
用途ウェハの研磨
サンプルサイズ最大⌀4 inch
その他
備考

研削装置

研削装置
メーカー名(型式)ナノファクター(NVG-200A)
用途試料の荒削り
主な仕様回転数:100–600 rpm、加工精度:10 μm
サンプルサイズ100 mm、高さ:20 mm
備考