Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University

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設備・装置リソグラフィ・露光・描画装置

目次

リソグラフィ・露光・描画装置

EB Lithograpy

EB Lithograpy
種類EB描画
メーカー名(型式)日本電子(JBX-6300SK)
光源EB
解像度50 nm
サンプルサイズ⌀2 inch, □20 mm
その他
備考

Laser Lithography System #1

Laser Lithography System #1
種類レーザ描画
メーカー名(型式)ハイデルベルグ(DWL2000SD)
光源半導体レーザ(405 nm)
解像度0.6 μm
サンプルサイズ最大□9 inch
その他マイクロマシニング棟に設置。
備考

Simple photo-mask maker(MM605AT)

Simple photo-mask maker(MM605AT)
種類1/5縮小露光フォトマスク作製機(OHPマスク原版)
メーカー名(型式)ナノテック(MM605)
光源蛍光灯(30 W × 3本)
解像度L/S = 200 μm程度
サンプルサイズ撮像寸法:59.4 × 59.4 mm
その他マスク:インクジェットでOHPマスク原版作製/エマルジョンマスク、倍率:0.2倍、視野寸法:297 × 297 mm、露光タイマ:99.9 s (0.1 s)
備考

Mask aligner(SUSS, MA6/BA6)#1,#2

Mask aligner(SUSS, MA6/BA6)#1,#2
種類マスクアライナ
メーカー名(型式)SUSS microtec (MA6)
光源水銀ランプ
解像度1–2 μm
サンプルサイズ最大6 inch
マスクサイズ2–7 inch
その他
備考

EVG Mask aligner

EVG Mask aligner
種類マスクアライナ
メーカー名(型式)EVグループ(EVG620)
光源水銀ランプ
解像度1–2 μm
サンプルサイズ□20 mm–6 inch
マスクサイズ2–7 inch
その他ボンドアライメント可。
備考

Spray coater(Delta 80RC)

Spray coater(Delta 80RC)
メーカー名(型式)SUSS(Delta 80RC)
サンプルサイズ8インチ以下が可能
(8インチウェハ以外のサンプルは、8インチウェハにカプトンテープで貼り付けて塗布を行う)
その他
備考

Mask aligner#3(SUSS, MA8/BA8)

Mask aligner#3(SUSS, MA8/BA8)
メーカー名(型式)SUSS MicroTec MA8/BA8
光源水銀ランプ
(OSRAM HBO 1000W)
解像度2µm
サンプルサイズ2/8インチ(ホルダー所有のもの)
マスクサイズ3/9インチ(ホルダー所有ありのもの)
サンプルサイズ最小1インチ~最大8インチ
その他アライメント精度1µm(公称値)
i線フィルタ有り
備考

Lift-off EQP(LOB8)

Lift-off EQP(LOB8)
メーカー名(型式)ASAP(LOM8-000-12)
サンプルサイズ2,4,6,8インチウェハ
主な仕様レジスト除去
その他
備考