Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University

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設備・装置リソグラフィ・露光・描画装置

目次

リソグラフィ・露光・描画装置

EB描画装置

EB 描画装置
種類EB描画
メーカー名(型式)日本電子(JBX-6300SK)
光源EB
解像度50 nm
サンプルサイズ⌀2 inch, □20 mm
その他
備考

レーザー描画装置 #1

レーザー描画装置#1
種類レーザ描画
メーカー名(型式)ハイデルベルグ(DWL2000SD)
光源半導体レーザ(405 nm)
解像度0.6 μm
サンプルサイズ最大□9 inch
その他マイクロマシニング棟に設置。
備考

レーザー描画装置 #2

レーザー描画装置#2
種類レーザ描画
メーカー名(型式)ハイデルベルグ (DWL200)
光源半導体レーザ(405 nm)
解像度2 μm
サンプルサイズ最大8 inch
その他ナノマシニング棟に設置。
備考

簡易マスク作製装置

簡易マスク作製装置
種類1/5縮小露光フォトマスク作製機(OHPマスク原版)
メーカー名(型式)ナノテック(MM605)
光源蛍光灯(30 W × 3本)
解像度L/S = 200 μm程度
サンプルサイズ撮像寸法:59.4 × 59.4 mm
その他マスク:インクジェットでOHPマスク原版作製/エマルジョンマスク、倍率:0.2倍、視野寸法:297 × 297 mm、露光タイマ:99.9 s (0.1 s)
備考

パターンジェネレータ

パターンジェネレーター
種類マスク作製機
メーカー名(型式)日本精工(TZ-310)
光源水銀ランプ、キセノンランプ
解像度1 μm
サンプルサイズ2 inch, 5 inch, 7 inch
その他
備考

Mask aligner (SUSS) #1, #2

v\Mask aligner(SUSS)
種類マスクアライナ
メーカー名(型式)SUSS microtec (MA6)
光源水銀ランプ
解像度1–2 μm
サンプルサイズ最大6 inch
マスクサイズ2–7 inch
その他
備考

EVG Mask aligner

EVG Mask aligner
種類マスクアライナ
メーカー名(型式)EVグループ(EVG620)
光源水銀ランプ
解像度1–2 μm
サンプルサイズ□20 mm–6 inch
マスクサイズ2–7 inch
その他ボンドアライメント可。
備考

投影露光装置

投影露光装置
種類投影露光
メーカー名(型式)Ushio (UX-2003SM-AGG01)
光源水銀ランプ
解像度7 μm
サンプルサイズ□20 mm, 2 inch, 4 inch
マスクサイズ2–5 inch
その他露光時にマスクとサンプルはコンタクトしない。段差のある構造(最大50 μm)への露光が可能。
備考