Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University
- 目次
リソグラフィ・露光・描画装置
EB描画装置
| 種類 | EB描画 |
| メーカー名（型式） | 日本電子（JBX-6300SK） |
| 光源 | EB |
| 解像度 | 50 nm |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch, □20 mm |
| その他 | |
| 備考 | |
レーザー描画装置 #1
| 種類 | レーザ描画 |
| メーカー名（型式） | ハイデルベルグ（DWL2000SD） |
| 光源 | 半導体レーザ（405 nm） |
| 解像度 | 0.6 μm |
| サンプルサイズ | 最大□9 inch |
| その他 | マイクロマシニング棟に設置。 |
| 備考 | |
レーザー描画装置 #2
| 種類 | レーザ描画 |
| メーカー名（型式） | ハイデルベルグ （DWL200） |
| 光源 | 半導体レーザ（405 nm） |
| 解像度 | 2 μm |
| サンプルサイズ | 最大8 inch |
| その他 | ナノマシニング棟に設置。 |
| 備考 | |
簡易マスク作製装置
| 種類 | 1/5縮小露光フォトマスク作製機（OHPマスク原版）
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| メーカー名（型式） | ナノテック（MM605） |
| 光源 | 蛍光灯（30 W × 3本） |
| 解像度 | L/S = 200 μm程度 |
| サンプルサイズ | 撮像寸法：59.4 × 59.4 mm |
| その他 | マスク：インクジェットでOHPマスク原版作製／エマルジョンマスク、倍率：0.2倍、視野寸法：297 × 297 mm、露光タイマ：99.9 s (0.1 s)
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| 備考 | |
パターンジェネレータ
| 種類 | マスク作製機 |
| メーカー名（型式） | 日本精工（TZ-310） |
| 光源 | 水銀ランプ、キセノンランプ |
| 解像度 | 1 μm |
| サンプルサイズ | 2 inch, 5 inch, 7 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
Mask aligner (SUSS) #1, #2
| 種類 | マスクアライナ |
| メーカー名（型式） | SUSS microtec (MA6) |
| 光源 | 水銀ランプ |
| 解像度 | 1–2 μm |
| サンプルサイズ | 最大6 inch |
| マスクサイズ | 2–7 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
EVG Mask aligner
| 種類 | マスクアライナ |
| メーカー名（型式） | EVグループ（EVG620） |
| 光源 | 水銀ランプ |
| 解像度 | 1–2 μm |
| サンプルサイズ | □20 mm–6 inch |
| マスクサイズ | 2–7 inch |
| その他 | ボンドアライメント可。 |
| 備考 | |
投影露光装置
| 種類 | 投影露光 |
| メーカー名（型式） | Ushio (UX-2003SM-AGG01) |
| 光源 | 水銀ランプ |
| 解像度 | 7 μm |
| サンプルサイズ | □20 mm, 2 inch, 4 inch |
| マスクサイズ | 2–5 inch |
| その他 | 露光時にマスクとサンプルはコンタクトしない。段差のある構造（最大50 μm）への露光が可能。 |
| 備考 | |
