Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University
- 目次
膜加工・エッチング
汎用アッシャー
メーカー名(型式) | 自作 |
サンプルサイズ | 最大4inch |
プロセスガス | CF4, O2 |
その他 | |
備考 | |
ICP-RIE #1
メーカー名(型式) | SPPテクノロジーズ(MUC21) |
用途 | ゲート電極形成 |
プロセスガス | SF6, C4F8, HBr, Cl2, Ar, O2 |
導入可能材料 | Si, SiO2, resist |
サンプルサイズ | 最大⌀2 inch |
エッチングレート | 150 nm/min (Poly-Si) |
選択比 | 10 |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | プラズマ励起方式:誘導結合型 |
備考 | |
ICP-RIE #2
メーカー名(型式) | 住友精密工業(MUC-21 ASE-SRE) |
用途 | 高アスペクト比Siエッチング |
プロセスガス | SF6, C4F8, O2 |
導入可能材料 | Si, SiO2, positive resist |
サンプルサイズ | 最大⌀4 inch |
エッチングレート | 1.5–7.5 μm/min (Si) |
選択比 | 50–250 (photoresist) |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | プラズマ励起方式:誘導結合型、ICP power:最大1000 W、bias power:最大100 W |
備考 | |
ICP-RIE #3
メーカー名(型式) | 住友精密工業(MPX-ASE) |
用途 | ナノギャップ作製,高速エッチング |
プロセスガス | SF6, C4F8, O2 |
導入可能材料 | Si, SiO2, positive resist |
サンプルサイズ | 最大⌀4 inch |
エッチングレート | 0.7–24 μm/min (Si) |
選択比 | 12–260 (photoresist) |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | プラズマ励起方式:誘導結合型、ICP power:最大2600 W、bias power:最大180 W |
備考 | |
FAB
メーカー名(型式) | 荏原製作所(FAB-60 ML型) |
用途 | 高速原子線による高精度垂直加工 |
プロセスガス | SF6, O2, CHF3 |
導入可能材料 | Metal, Si, etc. |
サンプルサイズ | □20 mm |
エッチングレート | 34 nm/min (Si) |
選択比 | 1:1.5 (photoresist) |
備考 | |
CCP-RIE #1
メーカー名(型式) | ANELVA (L-201D-L) |
用途 | Metal and dielectric material etching |
プロセスガス | SF6, CF4, Ar, O2, CHF3 |
導入可能材料 | No limitation |
サンプルサイズ | 最大⌀3 inch |
エッチングレート | 70 nm/min (SiO2), 10 nm/min (Pt) |
選択比 | 1:2–3 (photoresist:SiO2) |
その他(プラズマ励起方式、電源出等) | プラズマ励起方式:CCP(平行平板) |
備考 | |
CCP-RIE #2
メーカー名(型式) | ANELVA (L-201D-L) |
用途 | 半導体、MEMS等サンプルエッチング |
プロセスガス | Ar, N2, O2, Cl2, BCl3 |
導入可能材料 | 半導体、MEMS等サンプル |
サンプルサイズ | 3 inch |
その他 | RF < 100 W |
備考 | |
CCP-RIE #3
メーカー名(型式) | ANELVA (L-201D-L) |
用途 | Al, W, SiO2 etching |
プロセスガス | BCl3, Cl2, O2, Ar, H2, CF4 |
導入可能材料 | Al, W, Si, SiO2, resist |
サンプルサイズ | ⌀2 inch |
エッチングレート | 100 nm/min (SiO2) |
選択比 | 1:5 |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | プラズマ励起方式:CCP |
備考 | |
イオンビームミリング装置
メーカー名(型式) | 伯東株式会社(IBE-KDC 75) |
用途 | RIE装置で対応できない材料(Pt, etc.)の微細加工 |
プロセスガス | Ar |
サンプルサイズ | 20 mm, 3 inch, 4 inch |
導入可能材料 | 有害物質(Pb, As, etc.)以外、低蒸気圧物質(Zn, etc.)以外 |
エッチングレート | Pt 30 nm/min |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | カウフマン型プラズマ発生装置 |
備考 | |
二周波励起RIE
メーカー名(型式) | ANELVA (L-211D) |
用途 | ソース/ドレインコンタクトエッチング用 |
プロセスガス | C4F8, Ar, O2 |
サンプルサイズ | ⌀2 inch |
導入可能材料 | Si基板 |
エッチングレート | 300 nm/min |
選択比 | 1:10 |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | 二周波励起 |
備考 | |
SiNエッチャ
メーカー名(型式) | サムコ(RIE-10NR) |
用途 | LOCOSのSiNエッチング用 |
プロセスガス | CF4, H2, O2, SF6 |
サンプルサイズ | ⌀2 inch |
導入可能材料 | Si基板 |
エッチングレート | 100 nm/min |
選択比 | 1:10 |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | 平行平板型 |
備考 | |
O2アッシャ
メーカー名(型式) | モリエンジニアリング(SFA-600) |
用途 | レジスト除去 |
プロセスガス | O2 |
導入可能材料 | Si基板 |
サンプルサイズ | ⌀2 inch |
エッチングレート | 200 nm/min |
選択比 | 不明 |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | ダウンフロー型 |
備考 | |
有磁場ICP-RIE
メーカー名(型式) | ULVAC (NE-550) |
用途 | Al配線形成 |
プロセスガス | Cl2, BCl3, O2, CF4, SF6 |
導入可能材料 | Si基板 |
サンプルサイズ | ⌀2 inch |
エッチングレート | 300 nm/min |
選択比 | 不明 |
その他(プラズマ励起方式、電源出力等) | 誘磁場ICP |
備考 | |
等方性 Siエッチャ
メーカー名(型式) | 自作 |
用途 | Siの選択エッチング |
プロセスガス | XeF2 |
導入可能材料 | Si, SiO2, positive resist, metal |
サンプルサイズ | □20 mm |
エッチングレート | 被加工材料の面積で変化する |
選択比 | 10000 (SiO2) |
備考 | |
YAG レーザ
メーカー名(型式) | NEC (Nd:YAG Laser SL 115G) |
特徴・用途 | ドライプロセス&局所的加工、作製したデバイスの分離、ステンレス、SMAなどの切断や溶接メタルワイヤ上の皮膜の選択除去、PZTのレーザ支援エッチング |
レーザー仕様(発振器、波長、出力など) | Nd:YAGレーザ(Qスイッチ使用、波長:1064 nm、出力:100 W) |
加工サイズ | 50 mm × 50 mm |
加工対象物 | シリコン、ガラス、ステンレス、SMA、PZT、他(要相談) |
その他 | 加工精度:30–40 μm程度、電流範囲:24–26 A(シリコン)、40–42 A(ガラス) |
備考 | |