Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University

HOME設備・装置膜加工・エッチング

設備・装置膜加工・エッチング

目次

膜加工・エッチング

汎用アッシャー

汎用アッシャー
メーカー名(型式)自作
サンプルサイズ最大4inch
プロセスガスCF4, O2
その他
備考

ICP-RIE #1

ICP-RIE#1
メーカー名(型式)SPPテクノロジーズ(MUC21)
用途ゲート電極形成
プロセスガスSF6, C4F8, HBr, Cl2, Ar, O2
導入可能材料Si, SiO2, resist
サンプルサイズ最大⌀2 inch
エッチングレート150 nm/min (Poly-Si)
選択比10
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)プラズマ励起方式:誘導結合型
備考

ICP-RIE #2

ICP-RIE#2
メーカー名(型式)住友精密工業(MUC-21 ASE-SRE)
用途高アスペクト比Siエッチング
プロセスガスSF6, C4F8, O2
導入可能材料Si, SiO2, positive resist
サンプルサイズ最大⌀4 inch
エッチングレート1.5–7.5 μm/min (Si)
選択比50–250 (photoresist)
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)プラズマ励起方式:誘導結合型、ICP power:最大1000 W、bias power:最大100 W
備考

ICP-RIE #3

Small-scallop Deep-RIE
メーカー名(型式)住友精密工業(MPX-ASE)
用途ナノギャップ作製,高速エッチング
プロセスガスSF6, C4F8, O2
導入可能材料Si, SiO2, positive resist
サンプルサイズ最大⌀4 inch
エッチングレート0.7–24 μm/min (Si)
選択比12–260 (photoresist)
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)プラズマ励起方式:誘導結合型、ICP power:最大2600 W、bias power:最大180 W
備考

FAB

FAB
メーカー名(型式)荏原製作所(FAB-60 ML型)
用途高速原子線による高精度垂直加工
プロセスガスSF6, O2, CHF3
導入可能材料Metal, Si, etc.
サンプルサイズ□20 mm
エッチングレート34 nm/min (Si)
選択比1:1.5  (photoresist)
備考

CCP-RIE #1

CCP-RIE#1
メーカー名(型式)ANELVA (L-201D-L)
用途Metal and dielectric material etching
プロセスガスSF6, CF4, Ar, O2, CHF3
導入可能材料No limitation
サンプルサイズ最大⌀3 inch
エッチングレート70 nm/min (SiO2), 10 nm/min (Pt)
選択比1:2–3 (photoresist:SiO2)
その他(プラズマ励起方式、電源出等)プラズマ励起方式:CCP(平行平板)
備考

CCP-RIE #2

CCP-RIE#2
メーカー名(型式)ANELVA (L-201D-L)
用途半導体、MEMS等サンプルエッチング
プロセスガスAr, N2, O2, Cl2, BCl3
導入可能材料半導体、MEMS等サンプル
サンプルサイズ3 inch
その他RF < 100 W
備考

CCP-RIE #3

CCP-RIE#3
メーカー名(型式)ANELVA (L-201D-L)
用途Al, W, SiO2 etching
プロセスガスBCl3, Cl2, O2, Ar, H2, CF4
導入可能材料Al, W, Si, SiO2, resist
サンプルサイズ⌀2 inch
エッチングレート100 nm/min (SiO2)
選択比1:5
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)プラズマ励起方式:CCP
備考

イオンビームミリング装置

イオンビームミリング装置
メーカー名(型式)伯東株式会社(IBE-KDC 75)
用途RIE装置で対応できない材料(Pt, etc.)の微細加工
プロセスガスAr
サンプルサイズ20 mm, 3 inch, 4 inch
導入可能材料有害物質(Pb, As, etc.)以外、低蒸気圧物質(Zn, etc.)以外
エッチングレートPt 30 nm/min
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)カウフマン型プラズマ発生装置
備考

二周波励起RIE

二周波励起 RIE
メーカー名(型式)ANELVA (L-211D)
用途ソース/ドレインコンタクトエッチング用
プロセスガスC4F8, Ar, O2
サンプルサイズ⌀2 inch
導入可能材料Si基板
エッチングレート300 nm/min
選択比1:10
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)二周波励起
備考

SiNエッチャ

SiN エッチャー
メーカー名(型式)サムコ(RIE-10NR)
用途LOCOSのSiNエッチング用
プロセスガスCF4, H2, O2, SF6
サンプルサイズ⌀2 inch
導入可能材料Si基板
エッチングレート100 nm/min
選択比1:10
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)平行平板型
備考

O2アッシャ

O2 アッシャー
メーカー名(型式)モリエンジニアリング(SFA-600)
用途レジスト除去
プロセスガスO2
導入可能材料Si基板
サンプルサイズ⌀2 inch
エッチングレート200 nm/min
選択比不明
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)ダウンフロー型
備考

有磁場ICP-RIE

有磁場 ICP-RIE
メーカー名(型式)ULVAC (NE-550)
用途Al配線形成
プロセスガスCl2, BCl3, O2, CF4, SF6
導入可能材料Si基板
サンプルサイズ⌀2 inch
エッチングレート300 nm/min
選択比不明
その他(プラズマ励起方式、電源出力等)誘磁場ICP
備考

等方性 Siエッチャ

等方性 Siエッチャー
メーカー名(型式)自作
用途Siの選択エッチング
プロセスガスXeF2
導入可能材料Si, SiO2, positive resist, metal
サンプルサイズ□20 mm
エッチングレート被加工材料の面積で変化する
選択比10000 (SiO2)
備考

YAG レーザ

YAG レーザー
メーカー名(型式)NEC (Nd:YAG Laser SL 115G)
特徴・用途ドライプロセス&局所的加工、作製したデバイスの分離、ステンレス、SMAなどの切断や溶接メタルワイヤ上の皮膜の選択除去、PZTのレーザ支援エッチング
レーザー仕様(発振器、波長、出力など)Nd:YAGレーザ(Qスイッチ使用、波長:1064 nm、出力:100 W)
加工サイズ50 mm × 50 mm
加工対象物シリコン、ガラス、ステンレス、SMA、PZT、他(要相談)
その他加工精度:30–40 μm程度、電流範囲:24–26 A(シリコン)、40–42 A(ガラス)
備考