Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University
- 目次
接合・研磨・パッケージング
EVG wafer bonder（EV520)
| メーカー名（型式） | EVグループ (EVG520) |
| 最大サンプルサイズ | 4 inch |
| 最大発生力（荷重） | 3500 N |
| 最大温度 | 550 ℃ |
| チャンバ真空度 | 10−2 Pa |
| 最大印加電圧 | 1200 V |
| その他 | ボンドアライメントは本施設内に設置しているEVG mask alignerで可能 |
| 備考 | |
Wafer bonder (Technofine)
| メーカー名（型式） | テクノファイン（SG-560） |
| 最大サンプルサイズ | 4 inch |
| 最大発生力（荷重） | 10000 N |
| 最大温度 | 350 ℃ |
| チャンバ真空度 | 5 × 10−3 Pa |
| 最大印加電圧 | 電圧印加非対応 |
| 備考 | |
Flip chip bonder #1
| メーカー名（型式） | 完エレクトロニクス（MODEL6000） |
| 最大サンプルサイズ | □20 mm |
| 最大発生力（荷重） | 5 kgf (49 N) |
| 最大温度 | 200 ℃ |
| チャンバ真空度 | 大気圧（N2ガスフロー可） |
| 最大印加電圧 | 電圧印加不可 |
| 備考 | |
Flip chip bonder#2(M-90-10)
| メーカー名（型式） | Hisol (M-90) |
| 最大サンプルサイズ | 上：□10 mm、下（ステージ）：4 inch |
| 最大発生力（荷重） | 5.5 N |
| 最大温度 | 350 ℃ |
| チャンバ真空度 | 大気圧 |
| 最大印加電圧 | 電圧印加不可 |
| 備考 | |
EVG Plasma Activator
| メーカー名（型式） | EVグループ（EVG810） |
| 最大サンプルサイズ | 6 inch |
| チャンバ真空度 | 1 Pa程度 |
| その他 | 低温直接接合の為のサンプル表面プラズマ処理用 |
| 備考 | |
Megasonic Cleaner
| メーカー名（型式） | EVグループ（EVG301） |
| 最大サンプルサイズ | 6 inch |
| その他 | EVGプラズマ表面活性化装置での処理前にサンプル表面をメガソニック洗浄する用途、ブラシによるサンプル洗浄可 |
| 備考 | |
Laser dicer
| メーカー名（型式） | 自作機 |
| 特徴・用途 | レーザを用いたステルスダイシング |
レーザ仕様
（発振器、波長、出力など） | パルスファイバレーザ（SPI Lasers製、波長：1064 nm、出力：12 W）、パルスグリーンレーザ（メガオプト製、波長：532 nm、出力：> 1.2 W (1 kHz）, > 3.5 W (10 kHz)） |
| 加工サイズ | 最大25 × 25 mm |
| 加工対象物 | シリコン、テンパックス、他（要相談） |
| その他 | 試料（Si等）内部にクラック層を形成する。レーザダイシングだけではチップ化不可、外部曲げ応力が必要。 |
| 備考 | |
Dicer
| メーカー名（型式） | DISCO (DAD3240) |
| 用途 | ウエハの切断（Si、ガラス、水晶、リチウムナイオベート等） |
| サンプルサイズ | 最大⌀152.4 mm |
| その他 | ダイシングテープ等への貼り付け必須 |
| 備考 | |
Polishing machine(1PM52)
| メーカー名（型式） | Logistech (PM5) |
| 用途 | ウェハの研磨 |
| サンプルサイズ | 最大⌀4 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
Grinding machine(NVG-200A)
| メーカー名（型式） | ナノファクター（NVG-200A） |
| 用途 | 試料の荒削り |
| 主な仕様 | 回転数：100–600 rpm、加工精度：10 μm |
| サンプルサイズ | 100 mm、高さ：20 mm |
| 備考 | |
Wafer Bonder (EVG540)
| メーカー名（型式） | EVG540 |
| 用途 | ウェハボンディング |
| サンプルサイズ | 8インチウェハ、12インチウェハ |
| 最大発生力（荷重） | 60000N |
| 最大温度 | 550℃ |
| チャンバ真空度 | 1E-06 mbar |
| 最大印加電圧 | 3φ200V，100A |
| その他 | 12インチウェハ / 最大加熱550℃ での最大出力: 27.1kW |
| 備考 | |
Wafer Aligner (EVG SmartView NT)
| メーカー名（型式） | EVG SmartViewNT |
| 用途 | ウェハアライナー |
| サンプルサイズ | 8インチウェハ、12インチウェハ |
| 最大印加電圧 | 1φ200V，16A |
| その他 | |
| 備考 | |
Plasma cleaner (AQ-500T)
| メーカー名（型式） | AQ-500T |
| 用途 | プラズマ活性化 |
| サンプルサイズ | 8インチ□以内 |
| チャンバ真空度 | 5Pa |
| 最大印加電圧 | 300Wまで |
| その他 | プラズマソース
H2O，Ar，O2，N2 |
| 備考 | |
Plasma cleaner (ONTOS)
| メーカー名（型式） | OntosTT Stand Alone Atmospheric Plasma Systems |
| 用途 | 半導体チップやウェハの表面活性化 |
| サンプルサイズ | 5mm□チップから12インチウェハまで
基板厚みは20mmまで |
| チャンバ真空度 | 大気圧プラズマ |
| 最大印加電圧 | 13.56 MHz，200Wまで
（入力1φ100V，10A） |
| その他 | プラズマソース
Ar/H2（95/5），Ar，O2，N2
コンピュータ制御のX-Y-Zステージにより処理 |
| 備考 | |
Flip chip bonder(FC3000W)
| メーカー名（型式） | Toray Engineering Co.,Ltd.(FC3000W) |
| 用途 | フリップチップ
ボンディング |
| サンプルサイズ(チップ) | 最小 3L × 3W
最大 20L × 20W |
| サンプルサイズ(基板) | 8インチ、12インチウェハ |
| 最大発生力（荷重） | 超低圧ヘッド：0.098 ～9.8N
熱圧着ヘッド：9.8～490 N |
| 最大温度(ヘッド) | 室温～450℃ |
| 最大温度(コンスタントステージ) | 室温 ～ 150℃
＊最大加熱エアリア：12インチウェハ |
| 最大温度(パルスステージ) | 室温 ～ 400℃
＊最大加熱エアリア：20mm□ |
| その他 | |
| 備考 | |
Anodic bonding
| メーカー名（型式） | NEC |
| 用途 | Anodic bonding |
| サンプルサイズ | 4inch |
| その他 | Wafer to wafer bonding |
| 備考 | |
