Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University

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設備・装置成膜・膜堆積

目次

成膜・膜堆積

静電塗布装置

静電塗布装置
メーカー名(型式)ナガセテクノエンジニアリング(PDR-04EXP)
サンプルサイズ最大10 cm × 10 cm
その他
備考

アルバック2インチスパッタ装置

アルバック2インチスパッタ装置
メーカー名(型式)アルバック
成膜温度Maximum 500℃
プロセスガスAr
サンプルサイズ⌀2 inch
その他
備考

プラズマTEOS CVD

プラズマ TEOS CVD
メーカー名(型式)サムコ(PD-100ST)
種類PE-CVD
成膜可能材料SiO2, SiOC
成膜温度80–350 ℃
成膜レート約80 nm/min
サンプルサイズ最大6 inch
その他
備考

LP-CVD

LP-CVD
メーカー名(型式)東京エレクトロン(MARS-Ⅱ)
種類低圧CVD(LP-CVD)
成膜可能材料SiO2, SiN, Poly-Si
成膜温度600–700 ℃
成膜レート2–10 nm/min
サンプルサイズ⌀2 inch
その他
備考

プラズマSiN-CVD

プラズマ SiN-CVD
メーカー名(型式)サムコ(PD-220NL)
種類プラズマCVD(PE-CVD)
成膜可能材料SiN, SiO2
成膜温度200–350 ℃
成膜レート80 nm/min
サンプルサイズ⌀2 inch
その他
備考

UHV-CVD

UHV-CVD
メーカー名(型式)エア・ウォーター(VCE-S2013TH)
種類超高真空CVD(UHV-CVD)
成膜可能材料エピタキシャルSi
成膜温度600–800 ℃
成膜レート2 nm/min
サンプルサイズ⌀2 inch
その他
備考

SiCN Cat-CVD

SiCN Cat-CVD
メーカー名(型式)自作
種類Wワイヤ熱CVD
成膜可能材料SiCN(ガスソース:HMDS+NH3
成膜温度150–300 ℃
成膜レート2.5–50 nm/min
サンプルサイズ⌀2 inch, □20 mm
その他触媒フィラメント:タングステン(⌀0.5 mm)、フィラメント温度:1600–1900 ℃、熱遮断板有
備考

プラズマ/オゾンTEOS CVD

プラズマ/オゾンTEOS CVD
メーカー名(型式)YOUTEC (21-0266SA)
種類PE-CVD
成膜可能材料SiO2
成膜温度200–350 ℃
成膜レート約300 nm/min
サンプルサイズ最大8 inch
その他
備考

プラズマCNT-CVD

プラズマ CNT-CVD
メーカー名(型式)自作
種類PE-CVD
成膜可能材料CNT
成膜温度650–700 ℃(放射温度計による計測)
成膜レート1 nm、Fe上で2 μm/min
サンプルサイズ約50 mmの角網に載るサイズ
その他成膜条件例:600 VのDCプラズマ、アセチレン10 Pa、水素100 Pa
備考

プラズマダイヤモンドCVD

プラズマダイヤモンドCVD
メーカー名(型式)セキテクノトロン(AX5200)
種類MPECVD
成膜可能材料Graphene nano walls, diamond
成膜温度RT–400 ℃
成膜レートLow
サンプルサイズ10 × 10 mm
その他Microwave power: 650 W, Gas: H2, CH4
備考

RF magnetron Sputter (Shibaura) #1

RF magnetron Sputter#1(Shibaura)
メーカー名(型式)シバウラメカトロニクス(CFS-4ES)
成膜可能材料金属、非金属対応
導入可能試料スパッタ耐性のある、かつ、パーティクルの発生しない試料
サンプルサイズ最大4 inch × 2枚
成膜温度RT–300 ℃
プロセスガスAr, O2, N2
その他最大300 W、3ターゲット設置可
備考

RF magnetron Sputter (Shibaura) #2

RF magnetron Sputter#2(Shibaura)
メーカー名(型式)芝浦エレテック(CFS-4ES-232)
成膜可能材料純金属のみ(磁性体以外)
導入可能試料スパッタ耐性のある,かつ,パーティクルの発生しない試料
サンプルサイズ最大4 inch × 2枚
成膜温度室温
プロセスガスAr
その他3ターゲット設置可
備考

DC対向ターゲットスパッタ

DC 対向ターゲットスパッタ
メーカー名(型式)大阪真空機器製作所(FTS-R3S)
成膜可能材料Fe, Co, Ni
導入可能試料スパッタ耐性のある,かつ,パーティクルの発生しない試料
サンプルサイズ□20 mm × 4枚
成膜温度RT–400 ℃
プロセスガスAr, Kr, N2
その他リフトオフ可
備考

RF対向ターゲットスパッタ

RF 対向ターゲットスパッタ
メーカー名(型式)大阪真空(FTS-1CL)
成膜可能材料各種金属
サンプルサイズ□20 mm
成膜温度RT–700 ℃
プロセスガスAr
その他有機物NG
備考

RF magnetron sputter (ULVAC)

RF magnetron sputter(ULVAC)
メーカー名(型式)ULVAC (MB97-0007)
成膜可能材料Al, W, Ni
サンプルサイズ⌀2 inch
成膜温度RT
その他有機物NG
備考

ECR sputter

ECR Sputter
メーカー名(型式)JSWアフティ(AFTEX EC-2300)
成膜可能材料AlNのみ
導入可能試料スパッタ耐性のある、かつ、パーティクルの発生しない試料
サンプルサイズ4 inch, □20 mm
成膜温度RT–300 ℃
プロセスガスAr + N2
その他リフトオフ不可
備考

ECR ion beam sputter

ECR ion beam sputter
メーカー名(型式)エリオニクス(EIS-220)
成膜可能材料半導体、MEMS用材料等
サンプルサイズ最大3 inch
成膜温度RT–350 ℃
プロセスガスAr, N2
その他有機物OK、リフトオフ可
備考

RF magnetron sputter (ANELVA)

RF magnetron sputter(ANELVA)
メーカー名(型式)アネルバ(SPC-350)
成膜可能材料Metal, Si, SiO2
導入可能基板スパッタ耐性のある、かつ、パーティクルの発生しない試料
サンプルサイズ最大⌀2 inch
成膜温度RT–400 ℃
プロセスガスAr, O2, N2
その他有機物NG、リフトオフ不可、反応性スパッタリング可、ロードロック室有、3ターゲット設置可
備考

High-temp RF magnetron sputter

High-temp RFmagnetron sputter
メーカー名(型式)菅製作所(SSP3000)
成膜可能材料金属
サンプルサイズ最大2 inch × 2枚
成膜温度RT–600 ℃
プロセスガスAr, N2, O2
備考

熱酸化炉

熱酸化炉
メーカー名(型式)自作
成膜可能材料SiO2
サンプルサイズ⌀2 inch
成膜温度1000 ℃程度
用途(特徴)Siのウェットおよびドライ酸化
主な仕様ガス種:O2, H2, N2
その他主としてトランジスタのゲート絶縁膜およびLOCOSプロセス用
備考

EB蒸着

EB 蒸着
メーカー名(型式)ANELVA (EGP-230)
サンプルサイズ□20 mm, ⌀4 inch, etc.
用途(特徴)リフトオフ用の成膜など
主な仕様真空度10−6 Torr程度で成膜が可能。金属膜、絶縁膜が成膜可能。チタン、アルミは共同利用だが、その他の材料は原料、ハースライナを各自で用意する。ニッケルなどの磁性体は成膜不可。水晶発振式膜厚計により膜厚をコントロール可。
その他マニュアル装置につき、ユーザ間のオペトレは禁止。クライオポンプ内のアブゾーバには寿命があるため、終夜連続稼働は禁止。
備考

電解めっき装置 #1

電解めっき装置 #1
メーカー名(型式)KEITHLEY(2401直流電流)
サンプルサイズ持参するビーカー、溶液槽サイズ、めっき液の量による。付属品の範囲では20 × 20 mmが標準。
用途(特徴)主に直流電流制御によるめっき。
その他メッキ液は各自準備。
備考

電解めっき装置 #2

電解めっき装置 #2
メーカー名(型式)北斗電工(HAB-151 ポテンショスタット)
サンプルサイズ持参するビーカー、溶液槽サイズ、めっき液の量による。付属品の範囲では20 × 20 mmが標準。
用途(特徴)主に酸化還元電位の測定や三電極式めっきなど。電位制御による電気化学実験を行う装置。
その他めっき液は各自準備。窒素ガス雰囲気の実験を行うための付属装置有。
備考

MBE

MBE
メーカー名(型式)Riber (Riber MBE 32 system)
種類MBE
成膜可能材料GaN, AlN, InN
成膜温度900 ℃
成膜レート100 nm/h
サンプルサイズ⌀3 inch
その他
備考

パリレン蒸着

パリレン蒸着
メーカー名(型式)Specialty Coating System (PDS2010)
サンプルサイズ最大120 × 120 mm
用途パリレンの蒸着
主な仕様成膜圧力:3 Pa程度
成膜温度:RT
成膜速度:3 μm/h
備考

PLD

PLD
メーカー名(型式)パスカル
サンプルサイズ□20 mm
用途(特徴)酸化物薄膜の堆積
備考

原子層堆積装置

原子層堆積装置
メーカー名(型式)Cambridge NanoTech (Savannah S100)
種類Thermal ALD (Atomic Layer Deposition)
成膜可能材料Al2O3 (TMA + H2O)
成膜温度100℃–220℃
成膜レート0.11 nm/cycle
サンプルサイズ最大⌀4 inch
その他
備考

鉛含有複合酸化膜スパッタ装置

鉛含有複合酸化膜スパッタ装置
メーカー名(型式)アネルバ(SPF-210H)
種類RFマグネトロンスパッタ
サンプルサイズ最大2cm角
成膜可能材料PZT, PMN-PT
成膜温度Maximum 600 ℃
成膜レート400–550 nm/h
プロセスガスAr, O2
備考装置利用には田中秀治研装置管理者に相談が必要です。