- 目次
成膜・膜堆積
学外者利用可能な装置については備考欄に記載があります。
静電塗布装置
| メーカー名（型式） | ナガセテクノエンジニアリング（PDR-04EXP） |
| サンプルサイズ | 最大10 cm × 10 cm |
| その他 | |
| 備考 | |
アルバック2インチスパッタ装置
| メーカー名（型式） | アルバック |
| 成膜温度 | Maximum 500℃ |
| プロセスガス | Ar |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
プラズマTEOS CVD
| メーカー名（型式） | サムコ（PD-100ST） |
| 種類 | PE-CVD |
| 成膜可能材料 | SiO2, SiOC |
| 成膜温度 | 80–350 ℃ |
| 成膜レート | 約80 nm/min |
| サンプルサイズ | 最大6 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
LP-CVD
| メーカー名（型式） | 東京エレクトロン（MARS-Ⅱ） |
| 種類 | 低圧CVD（LP-CVD） |
| 成膜可能材料 | SiO2, SiN, Poly-Si |
| 成膜温度 | 600–700 ℃ |
| 成膜レート | 2–10 nm/min |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| その他 | |
| 備考 | 学外者利用可能 |
プラズマSiN-CVD
| メーカー名（型式） | サムコ（PD-220NL） |
| 種類 | プラズマCVD（PE-CVD） |
| 成膜可能材料 | SiN, SiO2 |
| 成膜温度 | 200–350 ℃ |
| 成膜レート | 80 nm/min |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| その他 | |
| 備考 | 学外者利用可能 |
UHV-CVD
| メーカー名（型式） | エア・ウォーター（VCE-S2013TH） |
| 種類 | 超高真空CVD（UHV-CVD） |
| 成膜可能材料 | エピタキシャルSi |
| 成膜温度 | 600–800 ℃ |
| 成膜レート | 2 nm/min |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
SiCN Cat-CVD
| メーカー名（型式） | 自作 |
| 種類 | Wワイヤ熱CVD |
| 成膜可能材料 | SiCN（ガスソース：HMDS＋NH3） |
| 成膜温度 | 150–300 ℃ |
| 成膜レート | 2.5–50 nm/min |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch, □20 mm |
| その他 | 触媒フィラメント：タングステン（⌀0.5 mm）、フィラメント温度：1600–1900 ℃、熱遮断板有 |
| 備考 | |
プラズマ/オゾンTEOS CVD
| メーカー名（型式） | YOUTEC (21-0266SA) |
| 種類 | PE-CVD |
| 成膜可能材料 | SiO2 |
| 成膜温度 | 200–350 ℃ |
| 成膜レート | 約300 nm/min |
| サンプルサイズ | 最大8 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
プラズマCNT-CVD
| メーカー名（型式） | 自作 |
| 種類 | PE-CVD |
| 成膜可能材料 | CNT |
| 成膜温度 | 650–700 ℃（放射温度計による計測） |
| 成膜レート | 1 nm、Fe上で2 μm/min |
| サンプルサイズ | 約50 mmの角網に載るサイズ |
| その他 | 成膜条件例：600 VのDCプラズマ、アセチレン10 Pa、水素100 Pa |
| 備考 | |
プラズマダイヤモンドCVD
| メーカー名（型式） | セキテクノトロン（AX5200） |
| 種類 | MPECVD |
| 成膜可能材料 | Graphene nano walls, diamond |
| 成膜温度 | RT–400 ℃ |
| 成膜レート | Low |
| サンプルサイズ | 10 × 10 mm |
| その他 | Microwave power: 650 W, Gas: H2, CH4 |
| 備考 | |
RF magnetron Sputter (Shibaura) #1
| メーカー名（型式） | シバウラメカトロニクス（CFS-4ES） |
| 成膜可能材料 | 金属、非金属対応 |
| 導入可能試料 | スパッタ耐性のある、かつ、パーティクルの発生しない試料 |
| サンプルサイズ | 最大4 inch × 2枚 |
| 成膜温度 | RT–300 ℃ |
| プロセスガス | Ar, O2, N2 |
| その他 | 最大300 W、3ターゲット設置可 |
| 備考 | 学外者利用可能 |
RF magnetron Sputter (Shibaura) #2
| メーカー名（型式） | 芝浦エレテック(CFS－4ES-232)
|
| 成膜可能材料 | 純金属のみ（磁性体以外） |
| 導入可能試料 | スパッタ耐性のある，かつ，パーティクルの発生しない試料 |
| サンプルサイズ | 最大4 inch × 2枚 |
| 成膜温度 | 室温 |
| プロセスガス | Ar |
| その他 | 3ターゲット設置可 |
| 備考 | |
DC対向ターゲットスパッタ
| メーカー名（型式） | 大阪真空機器製作所（FTS-R3S） |
| 成膜可能材料 | Fe, Co, Ni |
| 導入可能試料 | スパッタ耐性のある，かつ，パーティクルの発生しない試料 |
| サンプルサイズ | □20 mm × 4枚 |
| 成膜温度 | RT–400 ℃ |
| プロセスガス | Ar, Kr, N2 |
| その他 | リフトオフ可 |
| 備考 | |
RF対向ターゲットスパッタ
| メーカー名（型式） | 大阪真空（FTS-1CL） |
| 成膜可能材料 | 各種金属 |
| サンプルサイズ | □20 mm |
| 成膜温度 | RT–700 ℃ |
| プロセスガス | Ar |
| その他 | 有機物NG |
| 備考 | |
RF magnetron sputter (ULVAC)
| メーカー名（型式） | ULVAC (MB97-0007) |
| 成膜可能材料 | Al, W, Ni |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| 成膜温度 | RT |
| その他 | 有機物NG |
| 備考 | 学外者利用可能 |
ECR sputter
| メーカー名（型式） | JSWアフティ（AFTEX EC-2300） |
| 成膜可能材料 | AlNのみ |
| 導入可能試料 | スパッタ耐性のある、かつ、パーティクルの発生しない試料 |
| サンプルサイズ | 4 inch, □20 mm |
| 成膜温度 | RT–300 ℃ |
| プロセスガス | Ar + N2 |
| その他 | リフトオフ不可 |
| 備考 | |
ECR ion beam sputter
| メーカー名（型式） | エリオニクス（EIS-220） |
| 成膜可能材料 | 半導体、MEMS用材料等 |
| サンプルサイズ | 最大3 inch |
| 成膜温度 | RT–350 ℃ |
| プロセスガス | Ar, N2 |
| その他 | 有機物OK、リフトオフ可 |
| 備考 | |
RF magnetron sputter (ANELVA)
| メーカー名（型式） | アネルバ（SPC-350） |
| 成膜可能材料 | Metal, Si, SiO2 |
| 導入可能基板 | スパッタ耐性のある、かつ、パーティクルの発生しない試料 |
| サンプルサイズ | 最大⌀2 inch |
| 成膜温度 | RT–400 ℃ |
| プロセスガス | Ar, O2, N2 |
| その他 | 有機物NG、リフトオフ不可、反応性スパッタリング可、ロードロック室有、3ターゲット設置可 |
| 備考 | 学外者利用可能 |
High-temp RF magnetron sputter
| メーカー名（型式） | 菅製作所（SSP3000） |
| 成膜可能材料 | 金属 |
| サンプルサイズ | 最大2 inch × 2枚 |
| 成膜温度 | RT–600 ℃ |
| プロセスガス | Ar, N2, O2 |
| 備考 | |
熱酸化炉
| メーカー名（型式） | 自作 |
| 成膜可能材料 | SiO2 |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| 成膜温度 | 1000 ℃程度 |
| 用途（特徴） | Siのウェットおよびドライ酸化 |
| 主な仕様 | ガス種：O2, H2, N2 |
| その他 | 主としてトランジスタのゲート絶縁膜およびLOCOSプロセス用 |
| 備考 | 学外者利用可能 |
EB蒸着
| メーカー名（型式） | ANELVA (EGP-230) |
| サンプルサイズ | □20 mm, ⌀4 inch, etc. |
| 用途（特徴） | リフトオフ用の成膜など |
| 主な仕様 | 真空度10−6 Torr程度で成膜が可能。金属膜、絶縁膜が成膜可能。チタン、アルミは共同利用だが、その他の材料は原料、ハースライナを各自で用意する。ニッケルなどの磁性体は成膜不可。水晶発振式膜厚計により膜厚をコントロール可。 |
| その他 | マニュアル装置につき、ユーザ間のオペトレは禁止。クライオポンプ内のアブゾーバには寿命があるため、終夜連続稼働は禁止。 |
| 備考 | |
電解めっき装置 #1
| メーカー名（型式） | KEITHLEY（2401直流電流） |
| サンプルサイズ | 持参するビーカー、溶液槽サイズ、めっき液の量による。付属品の範囲では20 × 20 mmが標準。 |
| 用途（特徴） | 主に直流電流制御によるめっき。 |
| その他 | メッキ液は各自準備。 |
| 備考 | |
電解めっき装置 #2
| メーカー名（型式） | 北斗電工（HAB-151 ポテンショスタット） |
| サンプルサイズ | 持参するビーカー、溶液槽サイズ、めっき液の量による。付属品の範囲では20 × 20 mmが標準。 |
| 用途（特徴） | 主に酸化還元電位の測定や三電極式めっきなど。電位制御による電気化学実験を行う装置。 |
| その他 | めっき液は各自準備。窒素ガス雰囲気の実験を行うための付属装置有。 |
| 備考 | |
MBE
| メーカー名（型式） | Riber (Riber MBE 32 system) |
| 種類 | MBE |
| 成膜可能材料 | GaN, AlN, InN |
| 成膜温度 | 900 ℃ |
| 成膜レート | 100 nm/h |
| サンプルサイズ | ⌀3 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
パリレン蒸着
| メーカー名（型式） | Specialty Coating System (PDS2010) |
| サンプルサイズ | 最大120 × 120 mm |
| 用途 | パリレンの蒸着 |
| 主な仕様 | 成膜圧力：3 Pa程度
成膜温度：RT
成膜速度：3 μm/h |
| 備考 | |
PLD
| メーカー名（型式） | パスカル |
| サンプルサイズ | □20 mm |
| 用途（特徴） | 酸化物薄膜の堆積 |
| 備考 | |
原子層堆積装置
| メーカー名（型式） | Cambridge NanoTech (Savannah S100) |
| 種類 | Thermal ALD (Atomic Layer Deposition) |
| 成膜可能材料 | Al2O3 (TMA + H2O) |
| 成膜温度 | 100℃–220℃ |
| 成膜レート | 0.11 nm/cycle |
| サンプルサイズ | 最大⌀4 inch |
| その他 | |
| 備考 | |
鉛含有複合酸化膜スパッタ装置
| メーカー名（型式） | アネルバ（SPF-210H） |
| 種類 | RFマグネトロンスパッタ |
| サンプルサイズ | 最大2cm角 |
| 成膜可能材料 | PZT, PMN-PT |
| 成膜温度 | Maximum 600 ℃ |
| 成膜レート | 400–550 nm/h |
| プロセスガス | Ar, O2 |
| 備考 | 装置利用には田中秀治研装置管理者に相談が必要です。 |
