Micro/Nano-Machining Research and Education Center, Tohoku University
- 目次
膜加工・エッチング
汎用アッシャー
| メーカー名（型式） | 自作 |
| サンプルサイズ | 最大4inch |
| プロセスガス | CF4, O2 |
| その他 | |
| 備考 | |
ICP-RIE #1
| メーカー名（型式） | SPPテクノロジーズ（MUC21） |
| 用途 | ゲート電極形成 |
| プロセスガス | SF6, C4F8, HBr, Cl2, Ar, O2 |
| 導入可能材料 | Si, SiO2, resist |
| サンプルサイズ | 最大⌀2 inch |
| エッチングレート | 150 nm/min (Poly-Si) |
| 選択比 | 10 |
| その他（プラズマ励起方式、電源出力等） | プラズマ励起方式：誘導結合型 |
| 備考 | |
ICP-RIE #2
| メーカー名（型式） | 住友精密工業（MUC-21 ASE-SRE） |
| 用途 | 高アスペクト比Siエッチング |
| プロセスガス | SF6, C4F8, O2 |
| 導入可能材料 | Si, SiO2, positive resist |
| サンプルサイズ | 最大⌀4 inch |
| エッチングレート | 1.5–7.5 μm/min (Si) |
| 選択比 | 50–250 (photoresist) |
| その他（プラズマ励起方式、電源出力等） | プラズマ励起方式：誘導結合型、ICP power：最大1000 W、bias power：最大100 W |
| 備考 | |
ICP-RIE #3
| メーカー名（型式） | 住友精密工業（MPX-ASE） |
| 用途 | ナノギャップ作製，高速エッチング |
| プロセスガス | SF6, C4F8, O2 |
| 導入可能材料 | Si, SiO2, positive resist |
| サンプルサイズ | 最大⌀4 inch |
| エッチングレート | 0.7–24 μm/min (Si) |
| 選択比 | 12–260 (photoresist) |
| その他（プラズマ励起方式、電源出力等） | プラズマ励起方式：誘導結合型、ICP power：最大2600 W、bias power：最大180 W |
| 備考 | |
FAB
| メーカー名（型式） | 荏原製作所（FAB-60 ML型） |
| 用途 | 高速原子線による高精度垂直加工 |
| プロセスガス | SF6, O2, CHF3 |
| 導入可能材料 | Metal, Si, etc. |
| サンプルサイズ | □20 mm |
| エッチングレート | 34 nm/min (Si) |
| 選択比 | 1:1.5 (photoresist) |
| 備考 | |
CCP-RIE #1
| メーカー名（型式） | ANELVA (L-201D-L) |
| 用途 | Metal and dielectric material etching |
| プロセスガス | SF6, CF4, Ar, O2, CHF3 |
| 導入可能材料 | No limitation |
| サンプルサイズ | 最大⌀3 inch |
| エッチングレート | 70 nm/min (SiO2), 10 nm/min (Pt) |
| 選択比 | 1:2–3 (photoresist:SiO2) |
| その他（プラズマ励起方式、電源出等） | プラズマ励起方式：CCP（平行平板） |
| 備考 | |
CCP-RIE #2
| メーカー名（型式） | ANELVA (L-201D-L) |
| 用途 | 半導体、MEMS等サンプルエッチング |
| プロセスガス | Ar, N2, O2, Cl2, BCl3 |
| 導入可能材料 | 半導体、MEMS等サンプル |
| サンプルサイズ | 3 inch |
| その他 | RF < 100 W |
| 備考 | |
CCP-RIE #3
| メーカー名（型式） | ANELVA (L-201D-L) |
| 用途 | Al, W, SiO2 etching |
| プロセスガス | BCl3, Cl2, O2, Ar, H2, CF4 |
| 導入可能材料 | Al, W, Si, SiO2, resist |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| エッチングレート | 100 nm/min (SiO2) |
| 選択比 | 1:5 |
| その他（プラズマ励起方式、電源出力等） | プラズマ励起方式：CCP |
| 備考 | |
イオンビームミリング装置
| メーカー名（型式） | 伯東株式会社（IBE-KDC 75） |
| 用途 | RIE装置で対応できない材料（Pt, etc.）の微細加工 |
| プロセスガス | Ar |
| サンプルサイズ | 20 mm, 3 inch, 4 inch |
| 導入可能材料 | 有害物質（Pb, As, etc.）以外、低蒸気圧物質（Zn, etc.）以外 |
| エッチングレート | Pt 30 nm/min |
| その他（プラズマ励起方式、電源出力等） | カウフマン型プラズマ発生装置 |
| 備考 | |
二周波励起RIE
| メーカー名（型式） | ANELVA (L-211D) |
| 用途 | ソース/ドレインコンタクトエッチング用 |
| プロセスガス | C4F8, Ar, O2 |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| 導入可能材料 | Si基板 |
| エッチングレート | 300 nm/min |
| 選択比 | 1:10 |
| その他（プラズマ励起方式、電源出力等） | 二周波励起 |
| 備考 | |
SiNエッチャ
| メーカー名（型式） | サムコ（RIE-10NR） |
| 用途 | LOCOSのSiNエッチング用 |
| プロセスガス | CF4, H2, O2, SF6 |
| サンプルサイズ | ⌀2 inch |
| 導入可能材料 | Si基板 |
| エッチングレート | 100 nm/min |
| 選択比 | 1:10 |
| その他（プラズマ励起方式、電源出力等） | 平行平板型 |
| 備考 | |
等方性 Siエッチャ
| メーカー名（型式） | 自作 |
| 用途 | Siの選択エッチング |
| プロセスガス | XeF2 |
| 導入可能材料 | Si, SiO2, positive resist, metal |
| サンプルサイズ | □20 mm |
| エッチングレート | 被加工材料の面積で変化する |
| 選択比 | 10000 (SiO2) |
| 備考 | |
YAG レーザ
| メーカー名（型式） | NEC (Nd:YAG Laser SL 115G) |
| 特徴・用途 | ドライプロセス＆局所的加工、作製したデバイスの分離、ステンレス、SMAなどの切断や溶接メタルワイヤ上の皮膜の選択除去、PZTのレーザ支援エッチング |
| レーザー仕様（発振器、波長、出力など） | Nd:YAGレーザ（Qスイッチ使用、波長：1064 nm、出力：100 W） |
| 加工サイズ | 50 mm × 50 mm |
| 加工対象物 | シリコン、ガラス、ステンレス、SMA、PZT、他（要相談） |
| その他 | 加工精度：30–40 μm程度、電流範囲：24–26 A（シリコン）、40–42 A（ガラス） |
| 備考 | |
