薄膜界面機能物性研究室
本研究室では、分子線エピタキシー(MBE)法やパルスレーザー堆積(PLD)法を用いて酸化物やハライドの量子マテリアルの高品質薄膜・ヘテロ超構造を創成し、薄膜界面で発現する新しい物性と機能の探索を行っています。特に、電子構造のトポロジーや量子幾何、電子相関が関与する非自明な量子物性に着目し、基礎物理の理解から将来デバイス機能への展開までを見据えた研究を進めています。更新情報・お知らせ
- 2026.09.08 NEW
- 研究成果が日経GXで紹介されました。
- 2026.09.01
- 応用物理学会で藤井さんと山田さんが発表します。
- 【9p-C309-3 MBE法によるCsSnI3エピタキシャル薄膜の作製と電子構造評価】
- 【9p-C309-8 強誘電ハライドペロブスカイトCsGeI3薄膜の単一ドメインエンジニアリングとSHG応答】
- 2026.06.23
- 理研、東大、住友化学との共同研究成果がPNASに掲載されました。
- また、プレスリリースも行われました。
- 2026.04.01
- 新しいメンバーが加わりました。
- 2026.03.02
- ホームページをアップしました。