科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究報告
課題番号： 17H03139
研究期間： 平成29年4月〜平成32年3月
研究組織： 代表者： 坂 真澄 東北大学 大学院工学研究科 教授
分担者： 李 渊 東北学院大学 工学部 准教授
分担者： 木村 康裕 東北大学 大学院工学研究科 助教
研究目的：
本研究は絶縁劣化を招くイオンマイグレーション(IM) を活用して創製する金属（酸化物）デンドライトを用いて以下に記す革新的な応用を展開する。一つ目は透明基板上に金属(Ag) デンドライトメッシュを創出し，透明・導電・柔軟性の最適化を図り，革新的な透明導電膜材料を開発する。二つ目はCu箔表面に金属もしくはその酸化物(Sn/SnO2) デンドライトを創製し，他に先駆けてリチウムイオン電池負極に導入し，容量増大と寿命向上に挑戦する。これより獲得する知見に基づき，用途に応じた意図的な創製を実現させるためのIM制御理論を確立し，金属（酸化物）デンドライトの応用基盤を構築する。
研究発表（雑誌論文）：
T. Nakakura and M. Saka
〔DOI: 10.1049/mnl.2017.0913〕
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