薮上桑波田研究室では、マイクロストリップ線路を用いて試料形状への制限がなく、高感度で高周波帯域まで測定できる測定方法の確立を目指しています。
現在 5G（28 GHz）が実用化され、通信網で使用される周波数の高周波化が進んでいます。高周波で使われるデバイスとしてノイズ抑制シートがあります。また、磁性薄膜はハードディスク、磁気センサ、MRAM等、様々な磁気デバイスに使われており、電子デバイスの高速化にともない、高周波、高感度、非破壊でのインライン評価が求められています。
薮上桑波田研究室ではマイクロストリップ型プローブを開発し、プローブをウエハ等に近接配置することにより、帯域 67 GHzの超広帯域計測、3 nm厚までの極薄膜評価、サンプルサイズに依存しない透磁率評価を実現しました。
また、同プローブを用いて透磁率と誘電率の同時計測にも成功しました。
67 GHzまでという広帯域での測定を可能にしたのは世界初です。
